Конфігуратор ПК
Trade-in
Послуги
Акції
3 роки гарантії
Гарантія від офіційного виробника
SSD-диск Samsung 990 V-NAND 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9V2T0BW)
Код товару: 916783
Немає в наявності
Немає в наявності
Аналоги SSD-диск Samsung 990 V-NAND 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9V2T0BW)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6450 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Характеристики SSD-диск Samsung 990 V-NAND 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9V2T0BW)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6450 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
4.3 Вт (у середньому при читанні)
3.8 Вт (у середньому при записі)
0.055 Вт (у режимі простою)
0.003 Вт (у режимі сну)
3.8 Вт (у середньому при записі)
0.055 Вт (у режимі простою)
0.003 Вт (у режимі сну)
Додатково
Підтримка NVMe 2.0
Габарити
80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Документація
Документація
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 роки
Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 V-NAND 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9V2T0BW)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск Samsung 990 V-NAND 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9V2T0BW)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6450 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Переглянуті товари
Немає в наявності
