Samsung поделилась данными о новых ёмких и функциональных SSD-накопителях и сопутствующем программном обеспечении
В ходе мероприятия Flash Memory Summit производитель Samsung познакомил со своими новыми продуктами с использованием технологии флэш-памяти.
На основе нового чипа памяти V-NAND производитель выпустит новые SSD-диски Samsung с форм-фактором 2.5 дюйма и интерфейсом SAS. Компоновка одновременно 32 чипов в одной BGA упаковке позволяет увеличить ёмкость такого стека до 4 Тб. Причем общая ёмкость запоминающего устройства составит 128 Тб.
Производитель Samsung также представил обновлённую память Z-NAND, обладающую меньшими задержками в отличие от существующей флэш-памяти. На базе данной памяти будет представлен первый твердотельный накопитель Z-SSD SZ985, для которого заявлен показатель задержки случайных операций менее 15 мкс. Стоит отметить, что это в 5.5 раза меньше, чем у накопителей Samsung корпоративного класса с памятью стандарта TLC. Также было анонсировано 2-ое поколение памяти Z-NAND, содержащей в основе память MLC NAND, а не на SLC. В случае с данной памятью, производителю пришлось немного пожертвовать показателями задержки (5 мкс) в пользу увеличения плотности хранения информации.
В рамках мероприятия был представлен новый форм-фактор корпоративных твердотельных накопителей под названием NGSFF (next-generation small-form-factor). Эти накопители обладают размерами 30.5х110х4.38 мм, ёмкостью до 16 Тб и возможностью горячей замены.
Samsung показала серверный корпус 1U в дизайне Mission Peak. Корпус содержит 36 твердотельных накопителей PM983 в форм-факторе NGSFF с общей емкостью хранилища 576 Тб. Хранилище, при чтении данных, может обрабатывать около 10 млн случайных операций ввода-вывода, превосходя в 3 раза возможности корпуса 1U с SSD форм-фактора 2.5 дюйма. Использование двух таких систем позволит добиться емкости в 1 ПБ.
Дополнительно производитель представил инновационную технологию Key Value SSD, основанную на совершенно новых методах обработки комплексных наборов данных. Технология поможет решить проблему возрастания сложности обработки данных, возникающую в процессе создания объектных данных – текстовых, графических, аудио- и видеофайлов. Технология Key Value SSD даст возможность накопителям обрабатывать данные без разделения их на блоки. Вместо трансформации на блоки применяется «ключ» (конкретное местоположение) для каждого «значения» (части объектных данных) в не зависимости от его размера. Благодаря прямой адресации местоположения данных ключ позволяет масштабировать хранилище в плане производительности и емкости. Как следствие, при считывании или записи данных, Key Value SSD помогает устранить избыточные шаги и таким образом повысить скорость ввода и вывода, а также значительно продлить срок службы SSD-диска.
Обновленная линейка корпоративных накопителей Samsung отличается поддержкой функций NVMe 1.3 Controller Memory Buffer и IO Determinism. Применение этих технологий предусматривает разделение SSD на множество пространств имен, сосредоточенных на физически отдельных чипах NAND и каналах. В результате, операции с одним набором не будут блокировать операции с другим набором.
