💾 C:\TELEMART\BIRTHDAY.EXE_ - ВСЕ АКТИВНОСТИ К 16-ЛЕТИЮ TELEMART →
Ваш город
Киев

Собери свою конфигурацию компьютера уже сейчас

Конфигуратор ПК
Каталог
Акция
BUILD.EXE — СБОРКА АКТИВИРОВАНА
До конца: 00 Дней 00 Часов 00 Минут 00 Секунд
content
content
content
Избранное Сравнение

Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

Код товара: 900663
39 999
-20%
49 999
В наличии 1 шт
В наличии 1 шт
Купить
Обменять по Trade-In
Способы оплаты
Оплачивайте наличными, банковской картой, в кредит/рассрочку, по безналичному расчету для юр. лиц.
Услуги

+9 месяцев гарантии

Дополнительная защита вашей техники – ремонт, обмен или компенсация в случае поломки
4 799
Подробнее

Установка ОЗУ / SSD / HDD

299
Подробнее
Аксессуары
Доставка/самовывоз

Характеристики Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
4 ТБ
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14800 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
8.2 Вт
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
NVMe 2.0
Кэш-память - Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматической уборки мусора
256-битное шифрование AES (класс 0)TCG/Opal IEEE1667 (зашифрованный диск)
Поддержка спящего режима устройства
Случайное чтение - 2,200,000 IOPS
Случайная запись - 2,600,000 IOPS
Габариты
80.15 x 25 x 8.88 мм
Вес
30 г
Статус SSD
Восстановлен продавцом
Комплектация
SSD-диск
Радиатор
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие, принимающее претензии и предложения от Покупателей:
• ООО «ТМР», ЕГРПОУ 42316322,
• 03057, город Киев, ул. Гетьмана Вадима, дом 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантия
3 года

Описание Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

'Причина уценки:
Оригинальная упаковка вскрыта. Возможны незначительные следы использования на товаре.'

Наличие в магазинах Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

Отзывы и вопросы Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

Функциональность
Качество
Цена

Аналоги Уценка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Вскрытая упаковка, 900663)

Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14800 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14800 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
SM2508
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
14000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13300 МБ/с
Рефералка