SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)
9 305 ₴
Купити
Код товару
539916
Обсяг пам'яті
Послуги та аксесуари
Доставка/самовивіз
Способи оплати
Детальніше про оплатуОплата готівкою
Готівкою та післяплатою
Онлайн оплата
Картою або по терміналу
Безготівкова оплата
ПДВ та без ПДВ
Розстрочка Monobank
від 3 до 5 місяців
GPay та Apple pay
5 років
Офіційна гарантія
Від виробника
14 днів на обмін
Повернення та обмін товару. Умови
Характеристики SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1200 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
8.5 Вт
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
80 x 24.3 x 8.2 мм
Вага
28 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
8806094594652
Гарантія
5 років
Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2800 МБ/с
Переглянуті товари