- Енергоефективність. Збережіть енергію для виступу. Підвищіть енергоефективність, забезпечивши до 70 % продуктивності на ват порівняно з 970 EVO Plus. Кожен крок стає ефективнішим за меншого енергоспоживання загалом
- Інтелектуальний термоконтроль. Тепер ви можете нарощувати продуктивність, не перегріваючи систему. Тонко налаштований контролер Samsung і теплорозподільна етикетка забезпечують ефективний термоконтроль, що дає змогу уникнути раптового падіння продуктивності в середині проєкту. Він охолоджує систему навіть за високих навантажень, тому зароблені з такою працею контрольні точки будуть збережені
- PCIe 4.0 і Gen 5.0. Оптимізований для підтримки новітніх технологій SSD-990 EVO сумісний з PCIe 4.0 x4 і PCIe 5.0 x2. Це означає, що ви отримуєте більшу пропускну здатність, більш високу обробку даних і продуктивність
- Постійне оновлення за допомогою програмного забезпечення Magician. Це не фокус-покус. Ваш твердотільний накопичувач 990 EVO працює як новий із постійно оновлюваним програмним забезпеченням Magician. Останні оновлення прошивки, додаткове шифрування і постійний моніторинг стану диска - все працює як годинник
- Бренд флеш-пам'яті №1 у світі. Продуктивність і надійність, на які ви можете розраховувати, від бренду номер один у світі з виробництва флеш-пам'яті з 2003 р. * Усі мікропрограми та компоненти виробляються на власному виробництві, включно з всесвітньо відомими DRAM і NAND, що забезпечує якість, якій ви можете довіряти
SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
3 699 ₴
Код товару
715427
Обсяг пам'яті
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Послуги та аксесуари
Доставка/самовивіз
Інформація
Оплачуйте покупку готівкою, карткою або перерахунком на банківські реквізити(безготівково)
Детальніше про оплату
Детальніше про оплату
Доступна розстрочка терміном від 3 місяців
Гарантія 5 років від виробника
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Відеоогляд SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Характеристики SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
600 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
4.5 Вт (запис)
4.9 Вт (читання)
4.9 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Шифрування даних - Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Кеш-пам'ять - HMB (Host Memory Buffer)
Кеш-пам'ять - HMB (Host Memory Buffer)
Габарити
80 x 22 x 2.38 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
0887276812519
Гарантія
5 років
Опис SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Наявність у магазинах SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Переглянуті товари
