Каталог
content
content
content
Избранное Сравнение

SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
6 349
-25%
8 410
Есть в наличии
Купить Обменять по Trade-In
5
3
10
3
5
Доставка/самовывоз
Информация
Оплачивайте покупку наличными, картой или переводом на банковские реквизиты (безналично)
Подробнее об оплате
Доступная рассрочка на срок от 3 месяцев
Гарантия 5 лет от производителя
Вся техника имеет сертификаты и гарантию от производителя. Вернуть ее можно в течение 14 дней после покупки
Условия возврата

Характеристики SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
5.5 Вт
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Габариты
80 x 22 x 2.38 мм
Вес
9 г
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
EAN
8806095300269
Гарантия
5 лет

Описание SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Достигните максимальной производительности PCIe 4.0. Почувствуйте длительную, подрывную для соперников скорость. Интеллектуальное управление нагревом встроенного контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность, сохраняя бешеную скорость и производительность, чтобы вы всегда были на высоте своей игры.

  • Максимальная скорость PCIe 4.0
  • Производительность. Выполните обновление до скорости последовательного чтения до 5000 МБ/с, что на 43% быстрее, чем у предыдущей модели
  • Энергоэффективность. Повышение энергоэффективности до 70% по сравнению с предыдущей моделью, поддержка современного режима ожидания и длительное время автономной работы
  • Универсальность. Повысьте повседневную производительность в играх, бизнесе и творческой работе благодаря совместимости с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2
  • Удобный набор инструментов оптимизации программного обеспечения Samsung Magician всегда обеспечивает наилучшую производительность SSD. Защищайте данные, получайте обновления, отслеживайте состояние накопителя и настраивайте комбинации цветов светодиодов

Наличие в магазинах SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Отзывы и вопросы SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Функциональность
Качество
Цена

Аналоги SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
3500 МБ/с
Скорость записи
2800 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
7400 МБ/с
Скорость записи
6400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Просмотренные товары
Кешбек