💾 C:\TELEMART\BIRTHDAY.EXE_ - УСІ АКТИВНОСТІ ДО 16-РІЧЧЯ TELEMART →
Ваше місто
Київ

Збери свою конфігурацію комп'ютера вже зараз

Конфігуратор ПК
Каталог
Акція
BUILD.EXE — ЗБІРКУ АКТИВОВАНО
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

Код товару: 908882
Немає в наявності
Немає в наявності

Аналоги Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с

Характеристики Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1200 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
4.6 Вт (запис)
4.2 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG / Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Габарити
80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
5 років

Опис Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

'Причина уцінки:
Оригінальна упаковка розкрита. Можливі незначні сліди використання товару.'

Відгуки та питання Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги Уцінка ssd-диск Samsung 990 EVO Plus V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9S2T0BW) (Розкрита упаковка, 908882)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Переглянуті товари
Рефералка