💾 C:\TELEMART\BIRTHDAY.EXE_ - УСІ АКТИВНОСТІ ДО 16-РІЧЧЯ TELEMART →
Ваше місто
Київ

Збери свою конфігурацію комп'ютера вже зараз

Конфігуратор ПК
Каталог
Акція
BUILD.EXE — ЗБІРКУ АКТИВОВАНО
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

Код товару: 900663
39 999
-20%
49 999
В наявності 1 шт
В наявності 1 шт
Купити
Обміняти за Trade-In
Способи оплати
Оплачуйте готівкою, банківською картою, в кредит/розстрочку, за безготівковим розрахунком для юр. осіб.
Послуги

+9 місяців додаткової гарантії

Додатковий захист вашої техніки – ремонт, обмін або компенсація у разі поломки
4 799
Детальніше

Встановлення ОЗУ/SSD/HDD

299
Детальніше
Аксесуари
Доставка/самовивіз

Характеристики Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
8.2 Вт
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
NVMe 2.0
Кеш-пам'ять - Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматичного очищення сміття
256-бітне шифрування AES (клас 0) TCG/Opal IEEE1667 (зашифрований диск)
Підтримка сплячого режиму пристрою
Випадкове читання - 2,200,000 IOPS
Випадкове записування - 2,600,000 IOPS
Габарити
80.15 x 25 x 8.88 мм
Вага
30 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 роки

Опис Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

'Причина уцінки:
Оригінальна упаковка розкрита. Можливі незначні сліди використання товару.'

Наявність у магазинах Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

Відгуки та питання Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги Уцінка ssd-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW) (Розкрита упаковка, 900663)

Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
SM2508
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
14000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Рефералка