Ваш город
Винница

Собери свою конфигурацию компьютера уже сейчас

Конфигуратор ПК
Каталог
content
content
content
Избранное Сравнение

SSD-диски Винница

51
Выбранные фильтры:
Подобрать SSD-диски совместимые с вашим устройством
Цена(грн)
-
Наличие в магазинах
Рекомендуем
Оплата частями
Объем памяти
Форм-фактор
Интерфейс
Производитель
Скорость чтения
Скорость записи
Ресурс записи (TWB)
Тип ячеек памяти
Линейка
Популярное
Назначение
Статус SSD
Код: 446792
5.0
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: PHISON E18
Скорость чтения: 7300 МБ/с
Скорость записи: 6000 МБ/с
Распродажа
Код: 467606
4.7
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 2400 МБ/с
Скорость записи: 1800 МБ/с
Новинка
Код: 867741
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7400 МБ/с
Скорость записи: 6700 МБ/с
Код: 116023
4.7
Объем памяти: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 2300 МБ/с
Код: 446793
4.9
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: PHISON E18
Скорость чтения: 7300 МБ/с
Скорость записи: 7000 МБ/с
Код: 445263
5.0
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 750572
Объем памяти: 8 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 14800 МБ/с
Скорость записи: 13400 МБ/с
Код: 445262
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Покупай от 2000 грн — и получай бесплатную доставку Новой Почтой Покупай от 2000 грн — и получай бесплатную доставку Новой Почтой
Код: 553540
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 517566
4.7
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 2700 МБ/с
Код: 539916
5.0
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 854512
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: SM2508
Скорость чтения: 14900 МБ/с
Скорость записи: 13700 МБ/с
Код: 517577
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7300 МБ/с
Скорость записи: 6300 МБ/с
Код: 750570
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 14700 МБ/с
Скорость записи: 13400 МБ/с
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung Pascal
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 627356
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Phison PS5025-E25
Скорость чтения: 7300 МБ/с
Скорость записи: 6800 МБ/с
5.0
Объем памяти: 500 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 5000 МБ/с
Скорость записи: 3000 МБ/с
Код: 750569
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 14700 МБ/с
Скорость записи: 13300 МБ/с
Код: 627358
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Phison PS5025-E25
Скорость чтения: 7400 МБ/с
Скорость записи: 7000 МБ/с
Код: 487275
Объем памяти: 256 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 2100 МБ/с
Скорость записи: 1000 МБ/с
Код: 467607
5.0
Объем памяти: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 2400 МБ/с
Скорость записи: 1000 МБ/с
Код: 550245
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 12400 МБ/с
Скорость записи: 11800 МБ/с
Код: 446794
4.9
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: PHISON E18
Скорость чтения: 7300 МБ/с
Скорость записи: 7000 МБ/с
Код: 854513
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: SM2508
Скорость чтения: 14500 МБ/с
Скорость записи: 13800 МБ/с
Код: 854505
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Phison PS5025-E25
Скорость чтения: 7000 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 854502
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7100 МБ/с
Скорость записи: 6000 МБ/с
Код: 627360
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 12400 МБ/с
Скорость записи: 11800 МБ/с
Код: 750571
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 14800 МБ/с
Скорость записи: 13400 МБ/с
Код: 517552
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: IG5236
Скорость чтения: 7400 МБ/с
Скорость записи: 6600 МБ/с
Уценка
Код: 863312
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2242
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 3100 МБ/с
Скорость записи: 2500 МБ/с
Уценка
Код: 859699
Объем памяти: 960 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 3480 МБ/с
Скорость записи: 3000 МБ/с
Уценка
Код: 866879
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Код: 250518
4.4
Объем памяти: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Контроллер: SMI 2263XT
Скорость чтения: 2000 МБ/с
Скорость записи: 1600 МБ/с
Эксклюзив
Код: 849552
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2242
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 3100 МБ/с
Скорость записи: 2500 МБ/с
Код: 745728
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7100 МБ/с
Скорость записи: 6000 МБ/с
Код: 288547
5.0
Объем памяти: 256 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Контроллер: SMI 2263XT
Скорость чтения: 1850 МБ/с
Скорость записи: 950 МБ/с
Код: 745727
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7100 МБ/с
Скорость записи: 6000 МБ/с
Код: 745735
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 14500 МБ/с
Скорость записи: 12700 МБ/с
Код: 369904
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 7400 МБ/с
Скорость записи: 5500 МБ/с
Код: 745734
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 13600 МБ/с
Скорость записи: 10200 МБ/с
Код: 745736
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 14100 МБ/с
Скорость записи: 12600 МБ/с
Код: 854514
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: SM2508
Скорость чтения: 14500 МБ/с
Скорость записи: 13800 МБ/с
Код: 444211
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D TLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Phison PS5018-E18
Скорость чтения: 7000 МБ/с
Скорость записи: 6850 МБ/с
Код: 698289
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 12000 МБ/с
Скорость записи: 11000 МБ/с
Код: 665028
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Phison E26
Скорость чтения: 14600 МБ/с
Скорость записи: 12700 МБ/с
Код: 665029
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Контроллер: Phison E26
Скорость чтения: 14100 МБ/с
Скорость записи: 12600 МБ/с
Объем памяти: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2 2242
Тип ячеек памяти: 3D-NAND TLC
Интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость чтения: 2800 МБ/с
Скорость записи: 2000 МБ/с
Код: 854835
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D CBA NAND
Интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость чтения: 14900 МБ/с
Скорость записи: 1100 МБ/с
Рефералка