Каталог
Акція
До будь-якої повної конфігурації ПК отримуй послугу збирання у подарунок
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0GW)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
5 075
-7%
5 470
Є в наявності
Купити Обміняти за Trade-In
3
3
10
3
Доставка/самовивіз
Інформація
Оплачуйте покупку готівкою, карткою або перерахунком на банківські реквізити(безготівково)
Детальніше про оплату
Доступна розстрочка терміном від 3 місяців
Гарантія 3 роки від виробника
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення

Характеристики SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0GW)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
7.8
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
80 x 24.3 x 8.2 мм
Вага
28 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
8806094594645
Гарантія
3 роки

Наявність у магазинах SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0GW)

Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0GW)

Функціональність
Якість
Ціна
Олексій
19.08.2024

Що це за SSD від самсунг з MLC в них на офіційному сайті нема такого, це фейк якийсь?

Олег
22.06.2024

Я так розумію на партію MZ-V9P1T0GW гарантію надає тільки магазин? (продавець)

Денис
08.05.2024

який тип кращий ? тут пише тип "mlc" в той що дорожча "TLC" tlc ж повинна буди дешевша , а тут вона дорожча підкажіть це помилка ? чи на справді mlc дешевша?

Марат
29.03.2024

Добрий день. Яка різниця між 1 та 2 за 5.219 та 5.807 якщо у них двох є heatsink? В чому прикол?

Денис
22.02.2024

Добрий день! Чи підійде цей SSD до PS5?

Аналоги SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0GW)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
 
 
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2700 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Переглянуті товари
Кешбек