Каталог
Акція
До будь-якої повної конфігурації ПК отримуй послугу збирання у подарунок
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Обсяг пам'яті
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
6 345
-25%
8 410
Є в наявності
Купити Обміняти за Trade-In
3
3
10
3
Доставка/самовивіз
Інформація
Оплачуйте покупку готівкою, карткою або перерахунком на банківські реквізити(безготівково)
Детальніше про оплату
Доступна розстрочка терміном від 3 місяців
Гарантія 5 років від виробника
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення

Характеристики SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
5.5 Вт
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG / Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Габарити
80 x 22 x 2.38 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
8806095300269
Гарантія
5 років

Опис SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Досягніть максимальної продуктивності PCIe 4.0. Відчуйте тривалу, підривну для суперників швидкість. Інтелектуальне керування нагріванням вбудованого контролера забезпечує найвищу енергоефективність, зберігаючи шалену швидкість і продуктивність, щоб ви завжди були на висоті своєї гри.

  • Максимальна швидкість PCIe 4.0
  • Продуктивність. Виконайте оновлення до швидкості послідовного читання до 5000 МБ/с, що на 43% швидше, ніж у попередньої моделі
  • Енергоефективність. Підвищення енергоефективності до 70% порівняно з попередньою моделлю, підтримка сучасного режиму очікування та тривалий час автономної роботи
  • Універсальність. Підвищіть повсякденну продуктивність в іграх, бізнесі та творчій роботі завдяки сумісності з PCIe 4.0 x4 та PCIe 5.0 x2
  • Зручний набір інструментів для оптимізації програмного забезпечення Samsung Magician завжди забезпечує найкращу продуктивність SSD. Захищайте дані, отримуйте оновлення, відстежуйте стан накопичувача та налаштовуйте комбінації кольорів світлодіодів

Наявність у магазинах SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E2T0BW)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Переглянуті товари
Кешбек