Ваш город
Киев
Каталог
content
content
content
Избранное Сравнение

SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Код товара: 702918
Нет в наличии
Нет в наличии
Уведомить о наличии
Продать по Trade-In

Аналоги SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
Скорость чтения
3200 МБ/с
Скорость записи
2400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
1700 МБ/с
Скорость записи
1200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
3000 МБ/с
Скорость записи
2200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
1700 МБ/с
Скорость записи
1500 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND MLC
Интерфейс
Скорость чтения
3100 МБ/с
Скорость записи
2600 МБ/с

Характеристики SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
Скорость чтения
3200 МБ/с
Скорость записи
2400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
300 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Температура хранения
От −40 до +85 °C
Дополнительно
Поддержка NVMe 1.4
Габариты
80 x 22 x 3.8 мм
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
GoodRAM
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие, принимающее претензии и предложения от Покупателей:
• ООО «ТМР», ЕГРПОУ 42316322,
• 03057, город Киев, ул. Гетьмана Вадима, дом 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
EAN
5908267966259
Гарантия
3 года

Описание SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Готовый ко всему

Накопитель PX500 NVMe PCIe 3 x4 третьего поколения обеспечивает до шести раз большую скорость, чем твердотельные накопители SATA III. Это идеальное решение для повышения производительности дома или офиса, с емкостями 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ для хранения данных, игр и повседневных задач.

Быстрый и вместительный

Скорость чтения до 3500 МБ/с и записи до 2800 МБ/с обеспечивает мгновенную загрузку программ и передачи данных. Пространство накопителя позволяет сохранять большие файлы, мультимедийные данные, программы и операционные системы без ограничений.

Флагманские технологии

Интерфейс PCIe 3 x4 обеспечивает высокую пропускную способность даже при интенсивном использовании. Накопитель оборудован технологиями Error Correction Code (ECC), Wear leveling, Thermal throttling и SMART, повышающими производительность, долговечность и безопасность ваших данных.

Отзывы и вопросы SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Функциональность
Качество
Цена
Гліб
5
08.03.2025
Функциональность
Качество
Цена
Покупал в Telemart

Має чипи TLC, контролер Phison PS5015.

Достоинства
Цена, якість
Недостатки
-

Аналоги SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.3 3D NAND 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-512-80-G3)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
Скорость чтения
3200 МБ/с
Скорость записи
2400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
1700 МБ/с
Скорость записи
1200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
3000 МБ/с
Скорость записи
2200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
 
 
Интерфейс
Скорость чтения
1700 МБ/с
Скорость записи
1500 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND MLC
Интерфейс
Скорость чтения
3100 МБ/с
Скорость записи
2600 МБ/с
Просмотренные товары
Рефералка