Зустрічай TELEMART та Марті у Вінниці! Офіційне відкриття - 18 жовтня!
Ваше місто
Київ
Каталог
Акція
На геймерські ноутбуки Dream Machines діє знижка до 3000 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Код товару: 488559
Архівний
Архівний

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
SM2508
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
14000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
SM2508
Швидкість читання
14200 МБ/с
Швидкість запису
11000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
 
 
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с

Характеристики SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.6 млн годин
Споживана потужність
11 Вт (запис)
10.5 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
Підтримка до 8 каналів NAND Flash з кешуванням 32CE, DDR4 SLC та відповідає стандарту NVMe 2.0
M.2 Thermal Guard XTREME
Зовнішній кеш DDR - LPDDR4 4 ГБ
Габарити
80 x 22 x 2.3 мм (без радиатора)
92 x 23.5 x 44.7 (с радиатором) мм
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Gigabyte
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 роки

Відгуки та питання SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
SM2508
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
14000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
SM2508
Швидкість читання
14200 МБ/с
Швидкість запису
11000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
 
 
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с
Рефералка