SSD-диски 4 ТБ | Страница 2
48Оставить отзыв
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND QLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения:
5500 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения:
12400 МБ/с
Скорость записи:
11800 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
2.5″
Тип ячеек памяти:
V-NAND 4bit MLC
Интерфейс:
SATA III
Контроллер:
Samsung MGX
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Контроллер:
Samsung Pascal
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2 Type-C
Скорость чтения:
2000 МБ/с
Скорость записи:
2000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
3400 МБ/с
Скорость записи:
3100 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения:
4800 МБ/с
Скорость записи:
4100 МБ/с

Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
2.5″
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс:
SATA III
Контроллер:
Samsung MKX Controller
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Phison PS5026-E26
Скорость чтения:
12000 МБ/с
Скорость записи:
11000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
6850 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения:
14100 МБ/с
Скорость записи:
12600 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения:
14100 МБ/с
Скорость записи:
12600 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Phison E26
Скорость чтения:
14100 МБ/с
Скорость записи:
12600 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D TLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Контроллер:
Phison PS5018-E18
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
6850 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 4.0 x4
Контроллер:
PHISON E18
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
7000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2 Type-C
Скорость чтения:
1050 МБ/с
Скорость записи:
1050 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
Thunderbolt 5
Скорость чтения:
6700 МБ/с
Скорость записи:
5300 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения:
12000 МБ/с
Скорость записи:
11000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Phison E26
Скорость чтения:
14100 МБ/с
Скорость записи:
12600 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Samsung in-house Controller
Скорость чтения:
14800 МБ/с
Скорость записи:
13400 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2 Type-C
Скорость чтения:
2000 МБ/с
Скорость записи:
2000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
2.5″
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
2.5″
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Просмотренные товары