SSD-диски | Страница 17
467Оставить отзыв
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Samsung in-house Controller
Скорость чтения:
14800 МБ/с
Скорость записи:
13400 МБ/с
4.8
Объем памяти:
500 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
PHISON E13T
Скорость чтения:
2200 МБ/с
Скорость записи:
1150 МБ/с
5.0
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
PHISON E13T
Скорость чтения:
2000 МБ/с
Скорость записи:
1600 МБ/с
5.0
Объем памяти:
250 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND MLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
Samsung Pablo Controller
Скорость чтения:
2900 МБ/с
Скорость записи:
1300 МБ/с

Объем памяти:
256 ГБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2
Скорость чтения:
450 МБ/с
Скорость записи:
420 МБ/с
4.8
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2
Скорость чтения:
520 МБ/с
Скорость записи:
500 МБ/с
Объем памяти:
256 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
1850 МБ/с
Скорость записи:
950 МБ/с
4.9
Объем памяти:
480 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
1700 МБ/с
Скорость записи:
1500 МБ/с
4.7
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
2400 МБ/с
Скорость записи:
1800 МБ/с
5.0
Объем памяти:
8 ТБ
Форм-фактор:
2.5″
Тип ячеек памяти:
V-NAND 4bit MLC
Интерфейс:
SATA III
Контроллер:
Samsung MGX
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
5.0
Объем памяти:
256 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
SMI 2263XT
Скорость чтения:
1850 МБ/с
Скорость записи:
950 МБ/с
Объем памяти:
512 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Просмотренные товары