Samsung Electronics сообщила о массовом выпуске потребительских твердотельных накопителей на базе памяти 3D V-NAND с 4 битами на ячейку (QLC). Новые SSD-диски Samsung ёмкостью до 4 Тбайт выполнены в форм-факторе 2.5 дюйма и по заявлениям южнокорейского производителя, не уступают аналогам с памятью TLC 3D V-NAND по скоростным характеристикам.
Основой новых твердотельных накопителей являются 64-слойные чипы QLC 3D V-NAND объёмом 1 Тбит (128 Гбайт) и контроллер Samsung MJX, который использовался в устройствах линейки 860 Evo с памятью TLC.
Пока ещё неназванные SSD-диски будут предлагаться в версиях объёмом 1 Тб, 2 Тб или 4 Тб и получат интерфейс SATA 6 Гбит/с. Скорости последовательного чтения и записи достигают 540 и 520 Мбайт/с соответственно. При этом уровень быстродействия при работе с произвольными блоками пока не сообщается.
В продаже новые SSD появятся ближе к концу года, а их ориентировочная стоимость будет объявлена ближе к дате релиза. Samsung Electronics на ближайшее будущее также планирует выпуск NVMe-накопителей форм-фактора M.2 с памятью QLC 3D V-NAND, ориентированных на корпоративных пользователей.
 (1).png)
