Акция! Меняй старый ПК на новый со скидкой 3500 грн
Каталог
Акция
Новинка в TELEMART.UA! Покупайте акционные Apple iPhone 13 128GB за 22 999 грн
До конца: 44 Дня 14 Часов 10 Минут 17 Секунд
content
content
content
Избранное Сравнение

SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)

Код товара: 539916
8 285
-13%
9 559
Есть в наличии
Есть в наличии
Купить
Обменять по Trade-In
Оплата частями/кредит:
Выберите банк-партнер
Доставка/самовывоз
Самовывоз из магазина
Курьерская доставка
Курьером Telemart
Доставка только по городу
20 мая
20 мая
20 мая
350
Новая почта
отправка 19 мая
отправка 19 мая
19 мая
115
Meest
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
100
УкрПочта
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
70
Самовывоз из отделения
Отделение Новая Почта
отправка 19 мая
отправка 19 мая
19 мая
Бесплатно
Почтомат Новая Почта
отправка 19 мая
отправка 19 мая
19 мая
Бесплатно
До отделения Meest
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
Бесплатно
Мини-отделение Meest
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
Бесплатно
Почтомат Meest
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
Бесплатно
Отделение УкрПочта
отправка 20 мая
отправка 20 мая
20 мая
50

Характеристики SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1200 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
8.5 Вт
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Кэш память Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
Поддержка спящего режима
Габариты
80 x 24.3 x 8.2 мм
Вес
28 г
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Радиатор
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
EAN
8806094594652
Гарантия
5 лет

Наличие в магазинах SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)

Отзывы и вопросы SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)

Функциональность
Качество
Цена
Максим
5
16.11.2024
Функциональность
Качество
Цена
Покупал в Telemart

Ну що тут сказати, самсунг і є самсунг, купив і на віка (вже 4та M2). За весь час користування жодних нарікань, а першим купленим вже 5 років (куплені на початку 2019 року). Далі робіть висновки самі. Єдиний недолік в цих поделях це - не знімний радіатор (треба оберати материнку щоб базовий можна було зняти без проблем)

Достоинства
Якість, відказостійкість, долговічність
Недостатки
не знімаєтся радіатор

Аналоги SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 2TB M.2 with Heatsink (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P2T0GW)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6300 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
5000 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6300 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
5000 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6300 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
5000 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Просмотренные товары
Рефералка