ПК за донат! Від TELEMART та Gigabyte
Ваше місто
Київ
Каталог
Акція
На геймерські ноутбуки Dream Machines діє знижка 15 000 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW)

Код товару: 445262
5 599
-3%
5 799
Закінчується
Закінчується
Купити
Обміняти за Trade-In
Оплата частинами/кредит:
Виберіть банк-партнер
Послуги

Захист від усіх випадків FullCare

839
Детальніше

Розширена гарантія

559
Детальніше

Сервіс "Без ремонтів" на 12 місяців

669
Детальніше

Екстра заміна

559
Детальніше

Встановлення ОЗУ/SSD/HDD

199
Детальніше
Доставка/самовивіз

Характеристики SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
7.8
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
80 x 24.3 x 8.2 мм
Вага
28 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
EAN
8806094413748
Гарантія
5 років

Наявність у магазинах SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW)

Відгуки та питання SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW)

Функціональність
Якість
Ціна
Андрій
23.02.2024

Доброга дня. цей ssd підійде на материнську плату Asus PRIME X370-PRO?

Ілля
04.11.2023

Доброго дня, а той світлодіод, що на радіаторі, можливо вимкнути?

Аналоги SSD-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Polaris 3 A101-000171-A1
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
3600 МБ/с
Рефералка