- Передова продуктивність PCIe 5.0. Підніміть продуктивність PCIe 5.0 до максимуму. 9100 PRO досягає блискавичної швидкості послідовного читання/запису до 14 800/13 400 МБ/с, причому швидкість послідовного читання вдвічі вища, ніж у 990 PRO. Залиште обмеження Gen4 позаду завдяки швидкості довільного читання/запису до 2 200K/2 600K IOPS, що можливо тільки для Gen5
- Кожне завдання, потужна паралель. Подолайте межі продуктивності. Захоплююча швидкість довільного читання/запису забезпечує надшвидку паралельну обробку незліченних фрагментованих даних зі швидкістю до 2 200K/2 600K IOPS. Оцініть чудову продуктивність і миттєве завантаження для величезних ігор, високопродуктивних завдань і навіть додатків штучного інтелекту
- Створюйте за допомогою штучного інтелекту в одну мить. Інтелект перевизначає продуктивність. Подолайте межі своїх можливостей у роботі та розвагах завдяки вбудованому комп'ютеру зі штучним інтелектом і генерації контенту зі штучним інтелектом, що забезпечується приголомшливою швидкістю довільного читання/запису 9100 PRO до 2 200K/2 600K IOPS. Швидке завантаження, плавний ігровий процес, безперебійна робота
- Виключно скрізь. Підвищіть свою конкурентоспроможність. За допомогою новітніх інтерфейсів PCI 5.0 ви зможете легко редагувати відео, створювати 3D-зображення і навіть виконувати тривалі сеанси потокової передачі даних. Оцініть передову продуктивність у будь-який час, у будь-якому місці, на будь-якому пристрої та виберіть необхідний обсяг пам'яті до 8 ТБ
- Надзвичайна теплова ефективність. Пікова продуктивність без перерви. Передова 5-нм архітектура живлення контролера підвищує енергоефективність до 49 %, як порівняти з 990 PRO. Винятковий термоконтроль гарантує, що ніщо не порушить ваш потік, і ви зможете підтримувати роботу найвимогливіших програм із максимально можливою потужністю PCIe 5.0
- Програмне забезпечення Samsung Magician. Примусьте ваш SSD працювати як за помахом чарівної палички. Інструменти оптимізації програмного забезпечення Samsung Magician забезпечують найкращу продуктивність SSD. Це безпечний і простий спосіб перенести всі ваші дані для оновлення SSD-накопичувача Samsung. Захистіть цінні дані, стежте за станом диска і отримуйте останні оновлення прошивки
- Втілення інновацій у життя. Протягом десятиліть флеш-пам'ять NAND компанії Samsung служить основою для революційних технологій, які змінили всі сфери нашого повсякденного життя. Ця технологія NAND також використовується в наших споживчих твердотільних накопичувачах, звільняючи місце для наступного великого ривка в інноваціях
SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Код товару
750571
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Інформація
Оплачуйте покупку готівкою, карткою або перерахунком на банківські реквізити(безготівково)
Детальніше про оплату
Детальніше про оплату
Доступна розстрочка терміном від 3 місяців
Гарантія 3 роки від виробника
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Відеоогляд SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Характеристики SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Тип елементів пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
8.2 Вт
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
NVMe 2.0
Кеш-пам'ять - Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматичного очищення сміття
256-бітне шифрування AES (клас 0) TCG/Opal IEEE1667 (зашифрований диск)
Підтримка сплячого режиму пристрою
Випадкове читання - 2,200,000 IOPS
Випадкове записування - 2,600,000 IOPS
Кеш-пам'ять - Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматичного очищення сміття
256-бітне шифрування AES (клас 0) TCG/Opal IEEE1667 (зашифрований диск)
Підтримка сплячого режиму пристрою
Випадкове читання - 2,200,000 IOPS
Випадкове записування - 2,600,000 IOPS
Габарити
80.15 x 25 x 8.88 мм
Вага
30 г
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Гарантія
3 роки
Опис SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Відгуки та питання SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Швидкість читання
11700 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
8200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с
Переглянуті товари
