- Передовая производительность PCIe 5.0. Поднимите производительность PCIe 5.0 до максимума. 9100 PRO достигает молниеносной скорости последовательного чтения/записи до 14 800/13 400 МБ/с, причем скорость последовательного чтения в два раза выше, чем у 990 PRO. Оставьте ограничения Gen4 позади благодаря скорости произвольного чтения/записи до 2 200K/2 600K IOPS, что возможно только для Gen5
- Каждая задача, мощная параллель. Преодолейте пределы производительности. Захватывающая скорость произвольного чтения/записи обеспечивает сверхбыструю параллельную обработку бесчисленных фрагментированных данных со скоростью до 2 200K/2 600K IOPS. Оцените превосходную производительность и мгновенную загрузку для огромных игр, высокопроизводительных задач и даже приложений искусственного интеллекта
- Создавайте с помощью искусственного интеллекта в одно мгновение. Интеллект переопределяет производительность. Преодолейте пределы своих возможностей в работе и развлечениях благодаря встроенному компьютеру с искусственным интеллектом и генерации контента с искусственным интеллектом, что обеспечивается потрясающей скоростью произвольного чтения/записи 9100 PRO до 2 200K/2 600K IOPS. Быстрая загрузка, плавный игровой процесс, бесперебойная работа
- Исключительно везде. Повысьте свою конкурентоспособность. С помощью новейших интерфейсов PCI 5.0 вы сможете легко редактировать видео, создавать 3D-изображения и даже выполнять длительные сеансы потоковой передачи данных. Оцените передовую производительность в любое время, в любом месте, на любом устройстве и выберите необходимый объем памяти до 8 ТБ
- Чрезвычайная тепловая эффективность. Пиковая производительность без перерыва. Передовая 5-нм архитектура питания контроллера повышает энергоэффективность до 49 % по сравнению с 990 PRO. Исключительный термоконтроль гарантирует, что ничто не нарушит ваш поток, и вы сможете поддерживать работу самых требовательных программ с максимально возможной мощностью PCIe 5.0
- Программное обеспечение Samsung Magician. Заставьте ваш SSD работать как по волшебству. Инструменты оптимизации программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают наилучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD-накопителя Samsung. Защитите ценные данные, следите за состоянием диска и получайте последние обновления прошивки
- Воплощение инноваций в жизнь. На протяжении десятилетий флэш-память NAND компании Samsung служит основой для революционных технологий, которые изменили все сферы нашей повседневной жизни. Эта технология NAND также используется в наших потребительских твердотельных накопителях, освобождая место для следующего большого рывка в инновациях
SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Код товара
750570
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Информация
Оплачивайте покупку наличными, картой или переводом на банковские реквизиты (безналично)
Подробнее об оплате
Подробнее об оплате
Доступная рассрочка на срок от 3 месяцев
Гарантия 3 года от производителя
Вся техника имеет сертификаты и гарантию от производителя. Вернуть ее можно в течение 14 дней после покупки
Условия возврата
Вся техника имеет сертификаты и гарантию от производителя. Вернуть ее можно в течение 14 дней после покупки
Условия возврата
Видеообзор SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Характеристики SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1200 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
8.1 Вт
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
NVMe 2.0
Кэш-память - Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматической уборки мусора
256-битное шифрование AES (класс 0)TCG/Opal IEEE1667 (зашифрованный диск)
Поддержка спящего режима устройства
Случайное чтение - 1,850,000 IOPS
Случайная запись - 2,600,000 IOPS
Кэш-память - Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T.
Алгоритм автоматической уборки мусора
256-битное шифрование AES (класс 0)TCG/Opal IEEE1667 (зашифрованный диск)
Поддержка спящего режима устройства
Случайное чтение - 1,850,000 IOPS
Случайная запись - 2,600,000 IOPS
Габариты
80.15 x 25 x 8.88 мм
Вес
30 г
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Радиатор
Радиатор
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Гарантия
3 года
Описание SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Отзывы и вопросы SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Функциональность
Качество
Цена
Аналоги SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 2TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP2T0CW)
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13400 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения
11700 МБ/с
Скорость записи
9500 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
14700 МБ/с
Скорость записи
13300 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения
10000 МБ/с
Скорость записи
8200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения
12400 МБ/с
Скорость записи
11800 МБ/с
Просмотренные товары
