5 років гарантії
Гарантія від виробника
SSD-диск GoodRAM IRDM 3D NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Код товару: 339964
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
Phison E12
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2000 МБ/с
14 днів на обмін
Повернення та обмін товару. Умови
Архівний
Архівний
Аналоги SSD-диск GoodRAM IRDM 3D NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
Phison E12
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung Pablo Controller
Швидкість читання
3100 МБ/с
Швидкість запису
2600 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
2400 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
PHISON E13T
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Характеристики SSD-диск GoodRAM IRDM 3D NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
Phison E12
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2000 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
300 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.8 млн годин
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
Підтримка TRIM і S.M.A.R.T
Габарити
22 x 80 мм
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
GoodRAM
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
5908267960134
Гарантія
5 років
Відгуки та питання SSD-диск GoodRAM IRDM 3D NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск GoodRAM IRDM 3D NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (IR-SSDPR-P34B-512-80)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
Phison E12
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung Pablo Controller
Швидкість читання
3100 МБ/с
Швидкість запису
2600 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
2400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
2400 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
PHISON E13T
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Переглянуті товари
Немає в наявності
4.8
Архівний
