Новорічний розпродаж вже стартував! Час втілити мрію!
Каталог
Акція
Бери зараз – плати частинами! На акційні ПК Dragon Lucky - оплата частинами до 6 місяців
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
Black Friday! Техніку сплачуйте частинами від ПУМБ до 24 платежів
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Samsung PM9A1 V-NAND 1TB M.2 (2280 PCI-E) (MZVL21T0HCLR-00B00)

Код товару: 467633
Немає в наявності
Немає в наявності

Аналоги SSD-диск Samsung PM9A1 V-NAND 1TB M.2 (2280 PCI-E) (MZVL21T0HCLR-00B00)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
5100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Швидкість читання
7150 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с

Характеристики SSD-диск Samsung PM9A1 V-NAND 1TB M.2 (2280 PCI-E) (MZVL21T0HCLR-00B00)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
5100 МБ/с
Додатково
Додатково
Потенціал PCIe 4.0 NVMe
Швидкість випадкового читання також збільшена на 50% до 1000 тис. операцій введення-виведення в секунду
Низька затримка
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Примітка
Без заводського пакування
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 роки

Відгуки та питання SSD-диск Samsung PM9A1 V-NAND 1TB M.2 (2280 PCI-E) (MZVL21T0HCLR-00B00)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Samsung PM9A1 V-NAND 1TB M.2 (2280 PCI-E) (MZVL21T0HCLR-00B00)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
5100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Швидкість читання
7150 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Переглянуті товари
Рефералка