Ваш город
Киев
Каталог
content
content
content
Избранное Сравнение

Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

Код товара: 815249
Нет в наличии
Нет в наличии
Уведомить о наличии
Продать по Trade-In

Аналоги Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
3600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Polaris 3 A101-000171-A1
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с

Характеристики Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
7.8
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Кэш память Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Поддержка спящего режима
Габариты
80 x 24.3 x 8.2 мм
Вес
28 г
Статус SSD
Восстановлен продавцом
Комплектация
SSD-диск
Радиатор
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие, принимающее претензии и предложения от Покупателей:
• ООО «ТМР», ЕГРПОУ 42316322,
• 03057, город Киев, ул. Гетьмана Вадима, дом 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантия
5 лет

Описание Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

'Причина уценки:
Оригинальная упаковка вскрыта. Возможны незначительные следы использования на товаре.'

Отзывы и вопросы Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

Функциональность
Качество
Цена

Аналоги Уценка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0CW) (Вскрытая упаковка, 815249)

Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
3600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Polaris 3 A101-000171-A1
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Просмотренные товары
Рефералка