Відкриття шоуруму у Києві ТРЦ Ocean Plaza - 14.02
Каталог
Акція
Дивуй коханих щодня! Техніку сплачуйте частинами від ПУМБ до 24 платежів
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

Код товару: 855649
Немає в наявності
Немає в наявності

Аналоги Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
Контролер
Samsung Polaris controller
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
2800 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
PHISON E13T
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1500 МБ/с

Характеристики Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
Інтерфейс
Контролер
Samsung Polaris controller
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
200 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
5.4 Вт
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Буферна пам'ять Samsung 512 МБ Low Power DDR3
Підтримка технології TRIM
Підтримка технології S.M.A.R.T
Підтримка алгоритму Auto Garbage Collection Algorithm
ПЗ Magician для управління SSD
Габарити
80.15 x 22.15 x 2.38 мм
Вага
8 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 місяці

Опис Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

'Сліди використання, комплектація на фото'

Відгуки та питання Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги Ssd-диск Samsung 960 EVO V-NAND 500GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V6E500BW) (Відновлено продавцем, 855649)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
Контролер
Samsung Polaris controller
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
2800 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Контролер
PHISON E13T
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1500 МБ/с
Рефералка