Каталог
Акція
До будь-якої повної конфігурації ПК отримуй послугу збирання у подарунок
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
Бери зараз – плати частинами! На акційні ПК HEXO та EVOLVE оплата частинами до 12 місяців
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
Весняні знижки! На ігрові ноутбуки Dream Machines знижки до 10 000 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

Код товару: 862112
Немає в наявності
Немає в наявності

Аналоги Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
520 МБ/с
Швидкість запису
430 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
540 МБ/с
Швидкість запису
500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
500 МБ/с
Швидкість запису
450 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с

Характеристики Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

Основні
Форм-фактор
2.5″
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Тип елементів пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
NVMe
Без підтримки протоколу NVMe
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
5 Вт
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
100 x 69.85 x 6.8 мм
Вага
86 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 місяці

Опис Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

'Сліди використання, комплектація на фото'

Відгуки та питання Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги Ssd-диск Samsung 870 EVO V-NAND 4TB 2.5" (MZ-77E4T0B) (Відновлено продавцем, 862112)

Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
 
 
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
520 МБ/с
Швидкість запису
430 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
540 МБ/с
Швидкість запису
500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
 
 
Швидкість читання
500 МБ/с
Швидкість запису
450 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
2.5″
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Контролер
Samsung MKX Controller
Швидкість читання
560 МБ/с
Швидкість запису
530 МБ/с
Рефералка