Зустрічай TELEMART та Марті у Вінниці! Офіційне відкриття - 18 жовтня!
Ваше місто
Київ
Каталог
Акція
На геймерські ноутбуки Dream Machines діє знижка до 3000 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 7000s Prem 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) (GP-AG70S2TB-P)

Код товару: 400194
Архівний
Архівний

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 7000s Prem 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) (GP-AG70S2TB-P)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Phison PS5018-E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6850 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с

Характеристики SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 7000s Prem 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) (GP-AG70S2TB-P)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Phison PS5018-E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6850 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.6 млн годин
Споживана потужність
8.4 Вт (запис)
7.6 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
Підтримка NVMe 1.4
Підтримка TRIM
Підтримка SMART
Підтримка AES-256
M.2 Thermal Guard XTREME складається з двох теплових трубок та багатошарових ребер з передовим тепловим нановуглецевим покриттям для максимальної ефективності розсіювання тепла
Застосовується з двосторонньою термопрокладкою з високою провідністю, що забезпечує передачу тепла на складені ребра
External DDR Cache: DDR4 2GB
Габарити
92 x 23.5 x 44.7 мм
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Gigabyte
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
EAN
4719331811778
Гарантія
3 роки

Відгуки та питання SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 7000s Prem 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) (GP-AG70S2TB-P)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 7000s Prem 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) (GP-AG70S2TB-P)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Phison PS5018-E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6850 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Рефералка