Зустрічай TELEMART та Марті у Вінниці! Офіційне відкриття - 18 жовтня!
Ваше місто
Київ
Каталог
Акція
На геймерські ноутбуки Dream Machines діє знижка до 3000 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Gigabyte Aorus 3D TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (GP-ASM2NE6200TTTD)

Код товару: 181157
Архівний
Архівний

Аналоги SSD-диск Gigabyte Aorus 3D TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (GP-ASM2NE6200TTTD)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Toshiba BiCS4
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с

Характеристики SSD-диск Gigabyte Aorus 3D TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (GP-ASM2NE6200TTTD)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Toshiba BiCS4
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4400 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
3600 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.77 млн годин
Споживана потужність
6.6 Вт (запис)
6.5 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
Підтримка TRIM і S.M.A.R.T
Виділена кеш-пам'ять DDR4 2 ГБ
Габарити
80.5 x 11.4 x 23.5 мм
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Gigabyte
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
EAN
4719331805791
Гарантія
5 років

Відгуки та питання SSD-диск Gigabyte Aorus 3D TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (GP-ASM2NE6200TTTD)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Gigabyte Aorus 3D TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (GP-ASM2NE6200TTTD)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Toshiba BiCS4
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
4400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7250 МБ/с
Швидкість запису
6300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
5000 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
7000 МБ/с
Рефералка