Ваш город
Киев
Каталог
content
content
content
Избранное Сравнение

Уцененные товары

Уценка
Код: 792001
Объем памяти: 250 ГБ
Форм-фактор: 2.5″
Тип ячеек памяти: MLC
Интерфейс: SATA III
Контроллер: Samsung MJX Controller
Скорость чтения: 550 МБ/с
Скорость записи: 520 МБ/с
Уценка
Код: 797203
Объем памяти: 250 ГБ
Форм-фактор: 2.5″
Тип ячеек памяти: MLC
Интерфейс: SATA III
Контроллер: Samsung MJX Controller
Скорость чтения: 550 МБ/с
Скорость записи: 520 МБ/с
Уценка
Код: 803509
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: 2.5″
Тип ячеек памяти: V-NAND 4bit MLC
Интерфейс: SATA III
Контроллер: Samsung MGX
Скорость чтения: 560 МБ/с
Скорость записи: 530 МБ/с
Уценка
Код: 803512
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: 2.5″
Тип ячеек памяти: V-NAND 4bit MLC
Интерфейс: SATA III
Контроллер: Samsung MGX
Скорость чтения: 560 МБ/с
Скорость записи: 530 МБ/с
Уценка
Код: 804043
Объем памяти: 4 ТБ
Форм-фактор: 2.5″
Тип ячеек памяти: V-NAND 4bit MLC
Интерфейс: SATA III
Контроллер: Samsung MGX
Скорость чтения: 560 МБ/с
Скорость записи: 530 МБ/с
Уценка
Код: 798598
Объем памяти: 2 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Скорость чтения: 7000 МБ/с
Скорость записи: 5100 МБ/с
Уценка
Код: 812696
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость чтения: 3500 МБ/с
Скорость записи: 2100 МБ/с
Уценка
Код: 795302
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Уценка
Код: 795303
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Уценка
Код: 795305
Объем памяти: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Контроллер: Samsung in-house Controller
Скорость чтения: 7450 МБ/с
Скорость записи: 6900 МБ/с
Уценка
Код: 791738
Объем памяти: 525 ГБ
Форм-фактор: M.2 2280
Тип ячеек памяти: 3D-NAND
Скорость чтения: 530 МБ/с
Скорость записи: 510 МБ/с
Рефералка