3 роки гарантії
Гарантія від виробника
SSD-диск Samsung PM981 V-NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZVLB512HAJQ)
Код товару: 150204
5.0
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
Швидкість читання
3000 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
14 днів на обмін
Повернення та обмін товару. Умови
Архівний
Архівний
Аналоги SSD-диск Samsung PM981 V-NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZVLB512HAJQ)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
Швидкість читання
3000 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2800 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1500 МБ/с
Характеристики SSD-диск Samsung PM981 V-NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZVLB512HAJQ)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
Інтерфейс
Швидкість читання
3000 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн годин
Споживана потужність
5.9 Вт
Додатково
Основна пам'ять: 3D TLC V-NAND
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство, що приймає претензії та пропозиції від Покупців:
• ТОВ "ТМР" , ЄДРПОУ 42316322,
• 03057, місто Київ, вул. Гетьмана Вадима, будинок 6,
• +38 (044) 392-84-94
• service@telemart.ua
Гарантія
3 роки
Відгуки та питання SSD-диск Samsung PM981 V-NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZVLB512HAJQ)
5
Функціональність
5
Якість
5
Ціна
5
Дмитрий
5
11.07.2019
Функціональність
Якість
Ціна
Придбав сьогодні цей SSD M2. Замовлення отримав швидко в магазині в Києві. SSD за таку ціну та ще й 512ГБ від Samsung - просто бомба. В CrystalDiskMark показує 3500 Мб/с на читання і 1800 Мб/с на запис, як і вказано в описі на сайті. Загалом покупкою задоволений!
Переваги
Ціна. Швидкість.
Недоліки
Не виявив.
Тарас
16.07.2019
Когда будет в наличии?
Аналоги SSD-диск Samsung PM981 V-NAND TLC 512GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZVLB512HAJQ)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
Інтерфейс
Швидкість читання
3000 МБ/с
Швидкість запису
1800 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2200 МБ/с
Швидкість запису
1150 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND QLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2800 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1200 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1500 МБ/с
Переглянуті товари
