3 месяца гарантии
Гарантия от производителя
Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Код товара: 795302
Нет в наличии
Нет в наличии
Аналоги Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Polaris 3 A101-000171-A1
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Характеристики Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
7.8
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Кэш память Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Поддержка спящего режима
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC
Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Кэш память Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Поддержка спящего режима
Габариты
80 x 22 x 2.3 мм
Вес
9 г
Статус SSD
Восстановлен продавцом
Комплектация
SSD-диск
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Гарантия
3 месяца
Описание Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Отзывы и вопросы Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Функциональность
Качество
Цена
Аналоги Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Восстановлено продавцом, 795302)
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Polaris 3 A101-000171-A1
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Просмотренные товары
