- Энергоэффективность. Сохраните энергию для выступления. Повысьте энергоэффективность, обеспечив до 70 % производительности на ватт по сравнению с 970 EVO Plus. Каждый шаг становится более эффективным при меньшем энергопотреблении в целом
- Интеллектуальный термоконтроль. Теперь вы можете наращивать производительность, не перегревая систему. Тонко настроенный контроллер Samsung и теплораспределительная этикетка обеспечивают эффективный термоконтроль, позволяющий избежать внезапного падения производительности в середине проекта. Он охлаждает систему даже при высоких нагрузках, поэтому заработанные с таким трудом контрольные точки будут сохранены
- PCIe 4.0 и Gen 5.0. Оптимизированный для поддержки новейших технологий SSD-990 EVO совместим с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2. Это означает, что вы получаете большую пропускную способность, более высокую обработку данных и производительность
- Постоянное обновление с помощью программного обеспечения Magician. Это не фокус-покус. Ваш твердотельный накопитель 990 EVO работает как новый с постоянно обновляемым программным обеспечением Magician. Последние обновления прошивки, дополнительное шифрование и постоянный мониторинг состояния диска - все работает как часы
- Бренд флэш-памяти №1 в мире. Производительность и надежность, на которые вы можете рассчитывать, от бренда номер один в мире по производству флэш-памяти с 2003 года.* Все микропрограммы и компоненты производятся на собственном производстве, включая всемирно известные DRAM и NAND, что обеспечивает качество, которому вы можете доверять
SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
3 699 ₴
Код товара
715427
Объем памяти
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
Услуги и аксессуары
Доставка/самовывоз
Информация
Оплачивайте покупку наличными, картой или переводом на банковские реквизиты (безналично)
Подробнее об оплате
Подробнее об оплате
Доступная рассрочка на срок от 3 месяцев
Гарантия 5 лет от производителя
Вся техника имеет сертификаты и гарантию от производителя. Вернуть ее можно в течение 14 дней после покупки
Условия возврата
Вся техника имеет сертификаты и гарантию от производителя. Вернуть ее можно в течение 14 дней после покупки
Условия возврата
Видеообзор SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Характеристики SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Основные
Форм-фактор
Объем памяти
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
600 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Потребляемая мощность
4.5 Вт (запись)
4.9 Вт (чтение)
4.9 Вт (чтение)
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Дополнительно
Шифрование данных - Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Кэш-память - HMB (Host Memory Buffer)
Кэш-память - HMB (Host Memory Buffer)
Габариты
80 x 22 x 2.38 мм
Вес
9 г
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
EAN
0887276812519
Гарантия
5 лет
Описание SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Наличие в магазинах SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Отзывы и вопросы SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Функциональность
Качество
Цена
Аналоги SSD-диск Samsung 990 EVO V-NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9E1T0B/AM)
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4200 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
3500 МБ/с
Скорость записи
2100 МБ/с
Просмотренные товары
