3 года гарантии
Гарантия от производителя
SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 5000E 3D NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 1.4 (AG450E1TB-G)
Код товара: 480923
Архивный
Архивный
Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 5000E 3D NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 1.4 (AG450E1TB-G)
Объем памяти
1000 ГБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
3600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Характеристики SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 5000E 3D NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 1.4 (AG450E1TB-G)
Основные
Форм-фактор
Объем памяти
1000 ГБ
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4600 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
600 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Потребляемая мощность
4.3 Вт (запись)
4.2 Вт (чтение)
4.2 Вт (чтение)
Рабочая температура
От 0 до 70 °C
Температура хранения
От −40 до +85 °C
Дополнительно
Поддерживается HMB (буфер памяти хоста)
Поддерживается TRIM и S.M.A.R.T
Поддерживается TRIM и S.M.A.R.T
Габариты
80 x 22 x 2.3 мм
Статус SSD
Новый
Комплектация
SSD-диск
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Gigabyte
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
EAN
4719331849603
Гарантия
3 года
Отзывы и вопросы SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 5000E 3D NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 1.4 (AG450E1TB-G)
Функциональность
Качество
Цена
Андрій
05.04.2023
Підійде для asus tuf gaming f15 fx506hm model ax201ngw ( PCI 3.0 )
Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen4 5000E 3D NAND TLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 1.4 (AG450E1TB-G)
Объем памяти
1000 ГБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
4600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
5000 МБ/с
Скорость записи
3600 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
4000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
6000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Просмотренные товары
Нет в наличии
