Апгрейд начинается летом! Скидки на ПК, комплектующие и периферию от TELEMART.UA
Каталог
Акция
Новинка в TELEMART.UA! Покупайте акционные Apple iPhone 13 128GB за 22 999 грн
До конца: 00 Дней 00 Часов 00 Минут 00 Секунд
Акция
Бесплатная диагностика для ПК и ноутбуков в TELEMART.UA
До конца: 00 Дней 00 Часов 00 Минут 00 Секунд
Акция
На геймерские ноутбуки Dream Machines действуют жаркие суперцены
До конца: 00 Дней 00 Часов 00 Минут 00 Секунд
content
content
content
Избранное Сравнение

Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

Код товара: 733477
14 999
В наличии 1 шт
В наличии 1 шт
Купить
Обменять по Trade-In
Оплата частями/кредит:
Выберите банк-партнер
Доставка/самовывоз

Характеристики Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

Основные
Форм-фактор
Объем памяти
4 ТБ
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung Pascal
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Дополнительно
Время наработки на отказ
1.5 млн часов
Ударостойкость
1500 G
Дополнительно
Шифрование AES 256-бит
Безопасность: TCG Opal 2.0
Габариты
80 x 24.3 x 8.2 мм
Статус SSD
Восстановлен продавцом
Комплектация
SSD-диск
Радиатор
Рекомендуемые аксессуары
Жесткие диски
Аксессуары для HDD и SSD
Примечание
Бренд
Samsung
О товаре
Технические характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Уточняйте важные для Вас параметры у наших менеджеров
Информация
Использовать при t +10°С - +35°С, ф 20%-75% окружающей среды.
Хранить при t +5°С - +35°С, ф 20%-75% в защищенном от детей месте.
Товары не являются пищевыми продуктами, и при нормальных условиях использования не являются вредными для здоровья.
Срок службы равен гарантийному сроку. По истечении срока службы передать службе утилизации.
Страна производства (местонахождение производителя) указана на товаре в поле Made In или похожим образом в способе предусмотренным производителем.
Дата производства конкретной единицы указана на коробке и/или на товаре или в его ПО, в поле manufacturing date или схожим образом (в том числе и в виде кодирования даты производства в серийный номер продукта) в способе предусмотренным производителем.
Предприятие по принятию претензий и запроса дополнительной информации:
• ООО "ТЕЛЕМАРТ"
• г.Днепр пер.Биологический 2А оф.16 Тел:+380674000880
• эл.почта:sales@telemart.ua
Гарантия
5 лет

Описание Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

'Причина уценки:
вскрите пакування'

Наличие в магазинах Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

Отзывы и вопросы Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

Функциональность
Качество
Цена

Аналоги Уценка ssd-диск Samsung V-NAND TLC 990 Pro 4TB M.2 with heatsink (2280 PCI-E) NVMe x4 (MZ-V9P4T0GW) (вскрите пакування, 733477)

Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung Pascal
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
4 ТБ
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Скорость чтения
6000 МБ/с
Скорость записи
5000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND 3-bit MLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7450 МБ/с
Скорость записи
6900 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7000 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
3D-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Контроллер
PHISON E18
Скорость чтения
7300 МБ/с
Скорость записи
7000 МБ/с
Объем памяти
Форм-фактор
Тип ячеек памяти
V-NAND TLC
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
PCIe 5.0 x2
Контроллер
Samsung in-house Controller
Скорость чтения
7250 МБ/с
Скорость записи
6300 МБ/с
Рефералка