Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Відновлено продавцем, 685589)
Код товару
685589
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Інформація
Оплачуйте покупку готівкою, карткою або перерахунком на банківські реквізити(безготівково)
Детальніше про оплату
Детальніше про оплату
Доступна розстрочка терміном від 3 місяців
Гарантія 3 місяці від виробника
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Вся техніка має сертифікати та гарантії від виробника. Повернути її можна протягом 14 днів після покупки
Умови повернення
Характеристики Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Відновлено продавцем, 685589)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
7.8
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
80 x 22 x 2.3 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Гарантія
3 місяці
Опис Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Відновлено продавцем, 685589)
Відгуки та питання Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Відновлено продавцем, 685589)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги Ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Відновлено продавцем, 685589)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
6000 МБ/с
Швидкість запису
4000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2700 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Переглянуті товари
