Апгрейд починається влітку! Знижки на ПК, комплектуючі та периферію від TELEMART.UA
Каталог
Акція
Новинка у TELEMART.UA! Купуйте акційні Apple iPhone 13 128GB за 22 999 грн
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
Безкоштовна діагностика для ПК та ноутбуків у TELEMART.UA
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
На геймерські ноутбуки Dream Machines діють спекотні суперціни
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Код товару: 488559
Архівний
Архівний

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
 
 
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с

Характеристики SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
1400 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.6 млн годин
Споживана потужність
11 Вт (запис)
10.5 Вт (читання)
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
Підтримка до 8 каналів NAND Flash з кешуванням 32CE, DDR4 SLC та відповідає стандарту NVMe 2.0
M.2 Thermal Guard XTREME
Зовнішній кеш DDR - LPDDR4 4 ГБ
Габарити
80 x 22 x 2.3 мм (без радиатора)
92 x 23.5 x 44.7 (с радиатором) мм
Комплектація
SSD-диск
Радіатор
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Gigabyte
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Гарантія
3 роки

Відгуки та питання SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги SSD-диск Gigabyte AORUS Gen5 10000 3D NAND TLC 2TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (AG510K2TB)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Phison E26
Швидкість читання
10000 МБ/с
Швидкість запису
9500 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14700 МБ/с
Швидкість запису
13300 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
14800 МБ/с
Швидкість запису
13400 МБ/с
Обсяг пам'яті
4 ТБ
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 5.0 x4
 
 
Швидкість читання
12400 МБ/с
Швидкість запису
11800 МБ/с
Рефералка