SSD-диски | Страница 16
386Оставить отзыв
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND TLC
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Скорость чтения:
12000 МБ/с
Скорость записи:
11000 МБ/с
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
PHISON E13T
Скорость чтения:
2000 МБ/с
Скорость записи:
1600 МБ/с
Объем памяти:
500 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
PHISON E13T
Скорость чтения:
1900 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
PHISON E15T
Скорость чтения:
3300 МБ/с
Скорость записи:
3000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 5.0 x4
Контроллер:
Phison E26
Скорость чтения:
14100 МБ/с
Скорость записи:
12600 МБ/с
Объем памяти:
512 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
1700 МБ/с
Скорость записи:
1200 МБ/с
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
3D-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
Phison E16 Series Controller
Скорость чтения:
4700 МБ/с
Скорость записи:
4200 МБ/с
Объем памяти:
2 ТБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
Samsung Phoenix
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3300 МБ/с
Объем памяти:
500 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
MLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
3200 МБ/с
Объем памяти:
500 ГБ
Форм-фактор:
M.2 2280
Тип ячеек памяти:
V-NAND MLC
Интерфейс:
PCIe 3.0 x4
Контроллер:
Samsung Pablo Controller
Скорость чтения:
3100 МБ/с
Скорость записи:
2600 МБ/с
Объем памяти:
1 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Тип ячеек памяти:
V-NAND
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2
Скорость чтения:
1050 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Объем памяти:
4 ТБ
Форм-фактор:
Внешний SSD
Интерфейс:
USB 3.2 Gen 2
Скорость чтения:
1050 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с