3 роки гарантії
Гарантія від виробника
SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.2 3D NAND 256GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-256-80-G2)
Код товару: 444221
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
1850 МБ/с
Швидкість запису
950 МБ/с
14 днів на обмін
Повернення та обмін товару. Умови
Архівний
Архівний
Аналоги SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.2 3D NAND 256GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-256-80-G2)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
1850 МБ/с
Швидкість запису
950 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2900 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Характеристики SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.2 3D NAND 256GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-256-80-G2)
Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
1850 МБ/с
Швидкість запису
950 МБ/с
Ресурс записи (TBW)
170 ТБ
Додатково
Час напрацювання на відмову
2 млн годин
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Температура зберігання
Від −40 до +85 °C
Додатково
NVMe 1.3
Габарити
22 x 80 x 8 мм
Статус SSD
Новий
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Аксесуари для HDD і SSD
Примітка
Бренд
GoodRAM
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
EAN
5908267962619
Гарантія
3 роки
Відгуки та питання SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.2 3D NAND 256GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-256-80-G2)
Функціональність
Якість
Ціна
Аналоги SSD-диск GoodRAM PX500 Gen.2 3D NAND 256GB M.2 (2280 PCI-E) NVMe x4 (SSDPR-PX500-256-80-G2)
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
1850 МБ/с
Швидкість запису
950 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Інтерфейс
Швидкість читання
1700 МБ/с
Швидкість запису
1100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
Швидкість читання
3200 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND MLC
Інтерфейс
Швидкість читання
2900 МБ/с
Швидкість запису
1300 МБ/с
Переглянуті товари
Немає в наявності
Немає в наявності
