Вигідний апгрейд ПК на базі відеокарт Factory Ref
Каталог
Акція
На периферію Cougar знижки до 25%
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
Акція
Безкоштовна доставка на картриджі ColorWay та PrintPro
До кінця: 00 Днів 00 Годин 00 Хвилин 00 Секунд
content
content
content
Обране Порівняння

Уцінка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Сліди встановлення, 624331)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
5 219
В наявності 1 шт
Купити Обміняти за Trade-In
3
3
10
3
Доставка/самовивіз
Способи оплати
Детальніше про оплату
Оплата готівкою
Готівкою та післяплатою
Онлайн оплата
Картою або по терміналу
Безготівкова оплата
ПДВ та без ПДВ
Розстрочка Monobank
3 місяця
GPay та Apple pay
5 років
Офіційна гарантія Від виробника
14 днів на обмін
Повернення та обмін товару. Умови

Характеристики Уцінка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Сліди встановлення, 624331)

Основні
Форм-фактор
Обсяг пам'яті
Тип елементів пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Додатково
Час напрацювання на відмову
1.5 млн часов
Ударостійкість
1500 G
Споживана потужність
7.8
Робоча температура
Від 0 до 70 °C
Додатково
Підтримка шифрування: AES 256-бітове шифрування (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрований привід)
Підтримка алгоритму автоматичного складання сміття GC
Підтримка TRIM
Підтримка S.M.A.R.T
Кеш пам'ять Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Підтримка сплячого режиму
Габарити
80 x 22 x 2.3 мм
Вага
9 г
Статус SSD
Відновлен продавцем
Комплектація
SSD-диск
Рекомендовані аксесуари
Жорсткі диски
Примітка
Бренд
Samsung
Про товар
Технічні характеристики та комплектація товару можуть бути змінені виробником без попередження. Уточнюйте важливі для Вас параметри наших менеджерів
Інформація
Використовувати при t +10°С - +35°С, ϕ 20%-75% оточуючого середовища.
Зберігати при t +5°С - +35°С, ϕ 20%-75% в захищеному від дітей місці.
Товари не є харчовими продуктами, та за нормальних умов використання не є шкідливими для здоров'я.
Строк служби рівний гарантійному строку. По закінченню строку служби передати службі утилізації.
Країна виробництва (місцезнаходження виробника) вказана на товарі в полі Made In або схожим чином у спосіб передбаченим виробником.
Дата виробництва конкретної одиниці зазначена на коробці та/або на товарі чи в його ПЗ, в полі manufacturing date або схожим чином (в тому числі й у вигляді кодування дати виробництва в серійний номер продукту) у спосіб передбаченим виробником.
Підприємство щодо прийняття претензій та запиту додаткової інформації:
• ТОВ "ТЕЛЕМАРТ"
• м.Дніпро пров.Біологічний 2А оф.16 Тeл:+380674000880
• ел.пошта:sales@telemart.ua
Гарантія
5 років

Опис Уцінка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Сліди встановлення, 624331)

'Причина уцінки:
Сліди встановлення'

Відгуки та питання Уцінка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Сліди встановлення, 624331)

Функціональність
Якість
Ціна

Аналоги Уцінка ssd-диск Samsung 990 PRO V-NAND 3-bit MLC 1TB M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-V9P1T0BW) (Сліди встановлення, 624331)

Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
V-NAND 3-bit MLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
Samsung in-house Controller
Швидкість читання
7450 МБ/с
Швидкість запису
6900 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7000 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND TLC
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
Контролер
PHISON E18
Швидкість читання
7300 МБ/с
Швидкість запису
6000 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
5000 МБ/с
Швидкість запису
3600 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Обсяг пам'яті
Форм-фактор
Тип осередків пам'яті
3D-NAND
Інтерфейс
PCIe 4.0 x4
 
 
Швидкість читання
3500 МБ/с
Швидкість запису
2100 МБ/с
Партнерство